第3種のメモリ技術、書き込み速度はUSBメモリの１万倍

　復旦大学マイクロ電子学院教授の張衛氏、周鵬氏が率いるチームはこのほど、画期的な二次元半導体準不揮発性メモリを作り、第3種となるメモリ技術を開発した。その書き込み速度は現在のUSBメモリの1万倍で、データ保存時間も自ら決めることができる。

「中国網日本語版（チャイナネット）」2018年4月12日