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japanese.china.org.cn |12. 04. 2018

第3種のメモリ技術、書き込み速度はUSBメモリの1万倍

タグ: 二次元 半導体 メモリ 技術


 復旦大学マイクロ電子学院教授の張衛氏、周鵬氏が率いるチームはこのほど、画期的な二次元半導体準不揮発性メモリを作り、第3種となるメモリ技術を開発した。その書き込み速度は現在のUSBメモリの1万倍で、データ保存時間も自ら決めることができる。

「中国網日本語版(チャイナネット)」2018年4月12日  

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