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ロシアの有力紙イズベスチヤは7日、「中国、半導体競争で徐々に追い上げ」と題する記事を掲載し、次のように報じた。
中国メディアの報道によると、中国の大手半導体露光装置メーカー上海微電子装備（SMEE）が年内に28nm（ナノメートル）プロセス対応のArF液浸露光装置「SSA/800-10W」を発売する予定だ。中国はリソグラフィ技術では遅れをとるものの、露光技術の分野では開発が加速しており、このことは海外サプライヤーの規制が強化される中、時宜にかなったものと言えよう。
米国政府は昨年10月7日、先端半導体技術の対中輸出に関する新たな規制措置を発表したが、こうした米国による対中制裁の背景には、中国の半導体産業が躍進したことが挙げられる。中国の半導体受託製造（ファウンドリー）最大手の中芯国際集成電路製造（SMIC）が昨年夏、7nmプロセス半導体チップの製造技術を確立したことで、中国は半導体産業における世界的リーダーにとなったからだ。
半導体装置の対中輸出規制は、中国による独自のサプライチェーンの構築を加速させるだけだ。今はまだ完全なサプライチェーンがない中国だが、これを構築する日も近い。リソグラフィ技術でブレークスルーがあれば、中国は基準をはるかに上回るチップを生産できるようになるだろう。
「中国網日本語版（チャイナネット）」2023年8月31日
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