中日の科学者、新型半導体量子トランジスタを開発

中日の科学者、新型半導体量子トランジスタを開発。

タグ:半導体量子トランジスタ

発信時間:2017-10-26 13:49:46 | チャイナネット | 編集者にメールを送る

 中国科学技術大学の郭国平教授の研究チームは、日本国立材料研究所などの機関の学者と協力し、世界で初めて半導体柔軟性二次元材料内で100%電気制御可能な量子ドット構造を実現した。この新型半導体量子トランジスタは、柔軟性量子チップの開発に新たなルートを提供した。世界的に権威ある米科学誌『サイエンス・アドバンシズ』に、同成果が掲載された。

 

 数十年の発展を経て、半導体ゲート構造量子ドットは一種の量子トランジスタとして、量子チップ開発の注目候補の一つになった。グラフェンを始めとする二次元材料体系は、柔軟性電子学、量子電子学の重点研究対象になった。しかし構造を帯び、界面に欠陥と異物が存在するといった要因により、二次元材料内の量子ドットは効果的な電気制御が実現できていなかった。

 

 郭教授のチームはこのほど、日本国立材料研究所、日本理化学研究所の学者と協力し、新型二次元材料「二酸化モリブデン」を選び研究を掘り下げた。彼らは一連の現代的半導体加工手段を用い、窒化ホウ素パッケージング技術と結びつけることで、量子ドット構造内の異物と欠陥を効果的に減らし、これらの材料内で初めて100%電気制御可能なダブル量子ドット構造を実現した。極端な低温環境において、電極と電圧を通じ、人工原子の人工分子への電気制御・調整を実現した。

 

 同研究は二酸化モリブデンの短距離欠陥とスピン軌道カップリングの電気輸送性質への影響を示し、半導体量子チップの可能性を模索し、量子電子学の中で高い将来性を持つ。


 「中国網日本語版(チャイナネット)」 2017年10月26日


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